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Kyma公司推高掺杂的n+型氮化镓体单晶衬底

来源:http://ig88new.com 责任编辑:ag88环亚国际 2018-09-02 16:31

  Kyma公司推高掺杂的n+型氮化镓体单晶衬底

   美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺度为10 ´10 mm-2和18 ´18 mm-2,一起他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研发的高掺杂n+型氮化镓衬底的电阻率小于0.02欧姆厘米,导电才能得到极大进步,电阻率比他们曾经的n型氮化镓衬底低两个数量级。此外,Kyma也成功开发了高掺杂n+型氮化镓衬底晶片,n型载流子浓度达到了6´1018 cm-3,对应电阻率仅为0.005欧姆厘米。Kyma公司此前的n型氮化镓产品仍然在出售,今后将被标记为n-类型。

  关于许多半导体资料和器材研讨而言,虽然n-型氮化镓仍可作为一种较好的初始成长资料,n+型氮化镓则更有优势,特别是关于笔直结构器材和下降器材触摸电阻方面。在笔直功率电子器材方面,n+型氮化镓可获得超低的电阻,一起也下降了寄生电阻。而在LED等光电子器材方面,n+型氮化镓可获得低的笔直电阻,有用下降电流拥堵效应的发作。经过这些具有高电子浓度导电衬底的运用,将会使功率电子器材和光电子器材的功能和运用寿命得到大幅度进步,具有严重使用价值。

  Kyma公司是一家专门出产氮化镓和氮化铝晶体资料的公司,这些资料在高功能的氮化物半导体器材方面具有广泛使用。从长时间看,氮化物半导体器材商场估计超越900亿美元,其间在可见光范畴的商场使用超越600亿美元,在功率微电子器材方面的使用超越300亿美元,商场前景宽广。
 

  

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