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一文整理Micro LED的前史、现况、原理制程及参加企业

来源:http://ig88new.com 责任编辑:ag88环亚国际 2018-09-12 18:43

  一文整理Micro LED的前史、现况、原理制程及参加企业

  2016年以来,micro LED逐步进入LED职业圈子,近来听到了micro LED将于2018年量产的音讯。为了更全面的了解micro LED商场与技能的开展,对micro LED的前史、现况、原理、制程及参加企业等方面做了全面整理。

  

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  前史

  说起Micro LED,先得从显现TFT-LCD背光模组运用说起。在1990年代TFT-LCD开端蓬勃开展时,因LED具有高颜色饱和度、省电、轻浮等特色,部分厂商就运用LED做背光源。然因本钱过高、散热欠安、光电功率低一级要素,并未很多运用于TFT-LCD产品中。

  直到2000年,蓝光LED芯片影响荧光粉制成白光LED技能的制程、效能、本钱开端逐步老练;当进入2008年,白光LED背光模组出现爆发性的生长,几年间简直全面替代了CCFL,其运用领域由手机、平板电脑、笔电、台式显现器甚至电视等等。

  可是,因TFT-LCD非自发光的显现原理所形成的,其open cell穿透率约在7%以下,形成TFT-LCD的光电功率失落;且白光LED所能供给的色饱和度仍不如三原色LED,大部分TFT-LCD产品约仅72%NTSC;再则,于室外环境下,TFT-LCD亮度无法提升至1000nits以上,致使印象和颜色辨识度低,为其一大运用缺点。故另一种直接运用三原色LED做为自发光显现点画素的LED Display或Micro LED Display的技能也正在开展中。

  现况

  跟着LED的老练与演进,Micro LED Display自2010年代起开端有着不一样的相貌出现。

  从其开展进程来看,2012年Sony宣布的55寸Crystal LED Display就是Micro LED Display技能类型,其Full HD解析度共运用约622万(1920x1080x3)颗micro LED做为高解析的显现画素,对比度可达百万比一,色饱和度可达140%NTSC,无反应时间和运用寿命问题。可是因采单颗Micro LED嵌入方法,在商业化上,仍有不少的本钱与技能瓶颈存在,以致于迄今未能量产。

  尽管Micro LED理论上是皆可运用各类尺度产品,但从本身良率及制程来看,现在对解析度凹凸的需求与良率是成反比,所以对解析度要求不高的穿戴式产品的显现器因尺度面积小、制造良率较高、契合节电需求,而被优先导入micro LED。

  一般LED芯片包括基板和磊晶层其厚度约在100~500μm,且尺度介于100~1000μm。而更进一步正在进行的Micro LED Display研讨在于将LED外表厚约4~5μm磊晶层用物理或化学机制剥离,再移植至电路基板上。其Micro LED Display归纳TFT-LCD和LED两大技能特色,在资料、制程、设备的开展较为老练,产品规格远高于现在的TFT-LCD或OLED,运用领域更为广泛包括软性、通明显现器,为一可行性高的次世代平面显现器技能。

  自2010年后各厂商活跃于Micro LED Display的技能整合与开发,然因Micro LED Display没有有规范的μLED结构、量产制程与驱动电路设计,各厂商其专利布局更是兵家必争之地。迄2016年止,已被Apple并购的Luxvue、Mikro Mesa、SONY、leti等公司皆已具数量规划的专利申请案,更有为数众多的公司与研讨机构投入相关的技能开发。

  首要参加开发的企业

  

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